Разработка методов микро- и нанолитографии по оксидным пленкам переходных металлов

Разработка методов микро- и нанолитографии по оксидным пленкам переходных металлов

Автор: Величко Андрей Александрович, Дутиков Дмитрий Андреевич, Кулдин Николай Александрович, Кундозерова Татьяна Валерьевна, Параничев Даниил Константинович, Пергамент Александр Лионович, Путролайнен Вадим Вячеславович

Журнал: Ученые записки Петрозаводского государственного университета @uchzap-petrsu

Рубрика: Физика

Статья в выпуске: 11 (105), 2009 года.

Бесплатный доступ

Оксиды переходных металлов, нанолитография, резист, модификации пленок оксидов

Короткий адрес: https://sciup.org/14751332

IDR: 14751332

Список литературы Разработка методов микро- и нанолитографии по оксидным пленкам переходных металлов

  • Алешина Л. А., Малиненко В. П., Фофанов А. Д. Методика рентгенографического исследования тонкопленочных объектов на монокристаллических и поликристаллических подложках//Заводская лаборатория. 1991. Т. 57. Вып. 2. С. 39.
  • Арутюнян Р. В., Баранов В. Ю., Большов Л. А и др. Воздействие лазерного излучения на материалы. М.: Наука, 1989. 367 с.
  • Величко А. А., Стефанович Г. Б., Пергамент А. Л., Борисков П. П. Детерминированный шум в структурах на основе диоксида ванадия//Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 10. С. 82-87.
  • Гаврилюк А. И., Рейнов Н. М., Чудновский Ф. А. Фото-и термохромизм в аморфных пленках V2O5//Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 20. С. 227-230.
  • Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Ионное травление микроструктур. М.: Сов. радио, 1979. 104 с.
  • Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. 264 с.
  • Дорожко Е. В., Савицкий В. Г. Оптическое поглощение пятиокиси ванадия в области энергий 1.0-5.5 эВ//ФТТ. 1977. Т. 10. Вып. 4. С. 953.
  • Кикалов Д. О., Малиненко В. П., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б. Оптические свойства тонких пленок аморфных оксидов ванадия//Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 8. С. 81.
  • Костышин М. Т., Михайловская Е. В., Романенко П. Р. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоев, находящихся на металлических положках//Физика твердого тела. 1966. Вып. 8. С. 571.
  • Моро У. Микролитография: В 2 ч. Ч. 1: Пер. с англ. М.: МИР, 1990. 605 с.
  • Озеров Р. П. Молибдена, ванадия и вольфрама кислородные соединения, их кристаллохимия//Успехи химии. 1955. Т. 24. Вып. 8. С. 951.
  • Baba M., Ikeda T. A new inorganic electron resist using amorphous WO3 films//Japanese Journal of Applied Physics. 1981. Vol. 20(2). Р. 149-152.
  • Benmoussa M., Outzourhit A., Bennouna A., Ameziane E. L. Electrochromism in sputtered V2O5 thin films: structural and optical studies//Thin Solid Films. 2002. Vol. 405. P. 11-16.
  • Bozler C. et al. Solid-transformation thermal resist: US Patent. 1986. 4619894.
  • Cheremisin А. B., Loginova S. V., Velichko А. А., Putrolaynen V. V., Pergament А. L., Grishin А. М. Modification of Atomic Structure of Thin Amorphous V2O5 Films under UV Laser Irradiation//Journal of Physics: Conference Series. 2008. Vol. 100. Р. 052096.
  • Chudnovskii F. A., Pergament A. L., Schaefer D. A., Stefanovich G. B. Efect of laser irradiation on the properties of transition metal oxides//J. Sol. St. Chem. 1995. Vol. 118. P. 417-418.
  • Duchene J., Terraillon M., Pailly M. R. F. and D. C reactive sputtering for crystallinf and amorphous VO2 thin film deposition//Thin Solid Films. 1972. Vol. 12. P. 231-234.
  • Frost F., Schindler A., Bigl F. Reactive ion beam etching of InSb and InAs with ultrasmooth surfaces//Semicond. Sci. Technol. 1998. Vol. 13. Р. 523.
  • Gavrilyuk A. Nature of photochromism in amorphous V2O5 thin films//Proc. of the SPIE. The Int. Society for Optical Engineering. 1997. Vol. 2968. Р. 195-200.
  • Gavrilyuk A. I., Mansurov A. A., Chudnovskii F. A. Photoinjection of hydrogen in amorphous MoO3 and V2O5 films//Sov. Tech. Phys. Lett. 1984. Vol. 10. Р. 292-293.
  • Glen A. N., Buhrman R. A. Summary Abstract: Preparation and optical properties of reactively evaporated VO2 thin films//Vac. Sci. Technol. 1984. Vol. A2 (2). P. 301-302.
  • Han S. Y., Lee D. H., Chang Y. J., Ryu S. O., Lee T. J., Chang C. H. The Growth Mechanism of Nickel Oxide Thin Films by Room-Temperature Chemical Bath Deposition//J. Electrochem. Society. 2006. Vol. 153. № 6. Р. C382.
  • Han Young Yu, Byung Hyun Kang, Ung Hwan Pi, Chan Woo Park, and Sung-Yool Choi, Gyu Tae Kim. V2O5 nanowire-based nanoelectronic devices for helium detection//Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. Р. 253102.
  • Imada M., Fujimori A., Tokura Y. Metal-insulator transitions//Rev. Mod. Phys. 1998. Vol. 70. P. 1059-1063.
  • Iwanaga S., Darling R.B., Cobden D. H. Preparation of coiled carbon fibers by pyrolysis of acetylene using a Ni catalyst and sulfur or phosphorus compound impurity//Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. Р. 133113.
  • Julien C., Guesdon J. P., Gorenstein A., Khelfa A., Ivanov I. The influence of the substrate material on the growth of V2O5 flash-evaporated films//Appl. Surface Science. 1995. Vol. 90. Р. 389-391.
  • Julien C., Haro-Poniatowski E., Camacho-Lopez M. A., Escobar-Alarcon L., Jimenez-Jarquin J. Growth of V2O5 thin films by pulsed laser deposition and their applications in lithium microbatteries//Materials Science and Engineering. 1999. Vol. B65. Р. 170-176.
  • Kim B.-J., Lee Y.-W., Chae B.-G., Yun S.-J., Oh S.-Y., Kim H.-T., Lim Y.-S. Optical properties of synthesized organic nanowires//Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. Р. 023515.
  • Kim H.-T., Chae B.-G., Yоun D.-H., Aeng S.-L, Kim G., Kang K.-Y., Lim Y.-S. Mechanism and observation of Mott transition in VO2-based two-and three-terminal devices//New J. Phys. 2004. Vol. 6. Р. 52.
  • Koshida N., Ohtaka K., Ando M., Komuro M., Anoda N. Focused Ion Beam Lithography with Transition Metal Oxide Resists//Japanese Journal of Applied Physics. 1989. Vol. 28 (10). Р. 2090-2094.
  • Lis S. A., Lavine J. M., Goldberg G. M. Options and opportunities with inorganic photoresist systems//Mat. Proc. of SPIE. 1984. Р. 393-394.
  • Liu Z., Fang G., Wang Y., Bai Y., Yao K.-L. Laser-induced coloration of V2O5//J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. Vol. 33. Р. 2327-2332.
  • Min M.-R., Kim J.-H., Kim E.-K., Kim Y.-K., Ha J.-S., Kim K.-T. Electrical properties of V2O5 (vanadium pentoxide) nanowires//J. Korean Phys. Soc. 2006. Vol. 49. 1097-1100.
  • Moshfegh A. Z., Ignatiev A. Formation and characterization of thin film vanadium oxides: Auger electron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and optical reflectance studies//Thin Solid Films. 1991. Vol. 198. Р. 251-268.
  • Nagase K., Shimizu Y., Miura N., Yamazoe N. Oriented lead germanate thin films by excimer laser ablation//Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. P. 802-804.
  • Nishio S., Kakihana M. Evidence for Visible Light Photochromism of V2O5//Chem. Mater. 2002. Vol. 14. Р. 3730-3733.
  • Nobuyoshi K., Koichi O., Masanobu A., Masanori K., Nobufumi A. Formation of Nickel Oxyhydroxide Thin Films by Electrodepositon and Their Electrochromic Characteristics.//J. Appl. Phys. Japan. 1988. Vol. 27. Р. 314-318.
  • Okamoto M., Baba M., Ikeda T. Application of MoO3 Electron Resist to Lift-Off Process//Japanese Journal of Applied Physics. 1990. Vol. 29 (3). Р. 518-520.
  • Pang S. W., Kunz R. R., Rothschild M., Goodman R.B., Horn M. W. Aluminum oxides as imaging materials for 193-nm excimer laser lithography//J. Vac. Sci. Technol. 1989. Vol. 7 (6). Р. 1624.
  • Peter Van Zant. Microchip Fabrication. 3rd ed. McGraw-Hill Companies, 1997. 623 p.
  • PMMA resists//http://www.microchem.com/products/pdf/PMMA_Data_Sheet.pdf.
  • Putrolaynen V. V., Velichko A. A., Pergaent A. L., Cheremisin A. B., Grishin A. M. UV patterning of vanadium pentoxide films for device applications//J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. Р. 5283-5286.
  • Rajendra Kumar R. T., Karunagaran B., Senthil Kumar V., Jeyachandran Y. L., Mangalaraj D., Narayandass S a. K. Structural properties of V2O5 thin films prepared by vacuum evaporation//Materials Science in Semiconductor Proc. 2003. Vol. 6. Р. 543-546.
  • Ramana C. V., Naidu B.S., Hussain O. M., Pinto R. Low-temperature growth of Vanadium pentoxide thin films produced by pulsed laser ablation//J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. Vol. 34. Р. L35.
  • Rozen J., Lopez R., Haglund Jr. R. F., Feldman L. C. Effects of polymer gate dielectrics roughness on pentacene field-effect transistors//Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. Р. 081902.
  • Sarunic M. V., Chapman G. H., Tu Y. Prototype laser-activated bimetallic thermal resist for microfabrication//Mat. Proc. of SPIE. 2001. Vol. 4274. Р. 183.
  • Sigmund P. Theory of sputtering//Phys. Rev. 1969. Vol. 184. № 2. Р. 383.
  • Sinclair W. R., Rousseau D. L., Stancavish J. J. Iron Oxide -An Inorganic Photoresist and Mask Material//J. Electrochem. Soc. 1974. Vol. 121 (7). Р. 925.
  • Smith D. J., Mc Cartney M.R., Bursill L. A. The electron-beam-induced reduction of transition metal oxide surfaces to metallic lower oxides//Utramicroscopy. 1987. Vol. 23. Р. 299-303.
  • Stefanovich G. B., Pergament A. L., Velichko A.A., Stefanovich L. A. Anodic oxidation of vanadium and properties of vanadium oxide films//J. Phys.: Cond. Mat. 2004. Vol. 16. Р. 4013-4024.
  • Tai K. L., Sinclair W. R., Vadimsky R. G. Bilevel high resolution photolithographic technique for use with wafers with stepped and/or reflecting surfaces//J. Vac. Sci. Technol. 1979. Vol. 16 (6). Р. 1977.
  • Thoas I. Ryoung-han Kim, Bruno La Fontaine, Patrick P., Anderson Ch. N., Sandberg R. L. Progress in EUV photoresist technology//Mat. Proc. of SPIE. 2007. 6533, 653317.
  • Wakaki M., Nakao R., Sakata H., Shibuya T., Yoshikado A. Maskless patterning characteristics of vanadium pentoxide amorphous films by frequency-doubled Q-seitched Nd:YAG laser irradiation//Proc. of SPIE -The Int. Society for Optical Engineering. 2002. Vol. 4915. Р. 317-325.
  • Warren B. E. X-ray diffraction. New York, 1969. 563 p.
  • Wu Q.-H., Thissen A., Jaegermann W. Photoelectron Spectroscopy of Na Intercalation into V2O5 Thin Films//Sol. St. Ion. 2004. Vol. 167. Р. 155-163.
  • Yoshitaka F., Katsuhiro M., Chiei T. On the Electrochromism of Evaporated V2O5 Films//Japan J. Appl. Phys. 1985. Part 1. Vol. 24. Р. 1082-1086.
Еще
Статья
SciUp 2024 © 2024 ©