Разработка измерителей высоких уровней СВЧ-мощности на основе структур карбид кремния на изоляторе для аэрокосмических систем
Автор: Курганская Л.В., Щербак А.В.
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Физика и электроника
Статья в выпуске: 6-1 т.13, 2011 года.
Бесплатный доступ
Рассмотрены вопросы разработки чувствительного элемента датчика СВЧ-мощности на основе слоев карбида кремния на изолирующих подложках, в основе работы которого лежит радиоэлектрический эффект в полупроводниках.
Радиоэлектрический эффект, чувствительный элемент датчика свч-мощности
Короткий адрес: https://sciup.org/148200515
IDR: 148200515
Список литературы Разработка измерителей высоких уровней СВЧ-мощности на основе структур карбид кремния на изоляторе для аэрокосмических систем
- Модель космоса: Научно информационное издание: В 2 т./Под ред. М.И. Панасюка, Л.С. Новикова. Т.2: Воздействие космической среды на материалы и оборудование космических аппаратов. М.: КДУ, 2007. 1144 с.
- Интегрированные инерциально спутниковые системы навигации/Составитель О. А. Степанов; Под общ. ред. В. Г. Пешехонова. СПб.: ГНЦ РФ ЦНИИ "Электроприбор", 2004.
- Билько М.И., Томашевский А.К., Шаров П.П. Измерение мощности на СВЧ. М.: Советское радио. 1976. С. 165.
- Гуляев Ю.В. О возникновении постоянной ЭДС при распространении электромагнитной волны в проводящей среде//Радиотехника и электроника. 1968. Т.13. Вып.4. С. 688-695.
- Перель В.И., Пинский Я.М. Постоянный ток в проводящей среде, обусловленный высокочастотным электромагнитным полем//ФТТ. 1973. Т.15. № 4. 1973. С.996-1003.
- Каганов М.И., Шапиро А.А. О влиянии термоэлектрических сил на радиоэлектрический эффект в полупроводниках//ФТТ. 1991. Т.12. №10 1991. С.3019-3021.
- Гуревич Л.Э., Мезрин О.А. Свето и термоэлектрические эффекты, создаваемые электромагнитной волной в проводящей среде//ФТТ. 1974. Т.16. №3. С.773-384.
- Щербак А.В. Радиоэлектрического эффект в гетеро структурах карбид кремния на кремнии: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Самара, 2005. 110 с.
- Хилсум К., Роуз!Инс А. Полупроводники типа AIIIBV. М.: Иностр. Лит ра, 1989. С. 323.
- Иванов А.Н., Челноков И.Р. Полупроводниковый SiC -технология и приборы.//ФТП. 1995. Т.29. №11. С.1921-1943
- Стриха В.И. Контактные явления в полупроводниках. Киев, ВШ 1982. С. 223.
- Растегаева М. Г. Омические контакты металл карбид кремния: Дис. … канд. техн. наук: 01.04.10. Спб., 1999. 157 с.
Статья научная
