Пористые структуры на основе карбида кремния для фотоэлектрических преобразователей

Пористые структуры на основе карбида кремния для фотоэлектрических преобразователей

Автор: Голубева Д.Ю., Курганская Л.В., Танеев В.В., Щербак А.В.

Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp

Статья в выпуске: 3 т.22, 2019 года.

Бесплатный доступ

Рассмотрен способ получения пористого карбида кремния путем карбидизации пористого кремния. Исследованы морфология поверхности и фазовый состав слоев пористого карбида кремния, получаемого при диффузии углерода из газовой фазы в слой пористого кремния. Получены спектры отражения образцов пористого карбида кремния, пористого кремния. Определены удельное поверхностное сопротивление и время жизни избыточных носителей заряда в пористом карбиде кремния. Показана возможность применения пористых слоев карбида кремния для увеличения эффективности фотоэлектрических преобразователей.

Пористые структуры, пористый карбид кремния, фотоэлектрические преобразователи, спектр отражения

Короткий адрес: https://sciup.org/140256106

IDR: 140256106

Список литературы Пористые структуры на основе карбида кремния для фотоэлектрических преобразователей

  • Зимин С.П. Пористый кремний - материал с новыми свойствами // Соросовский образовательный журнал. 2004. Т. 8. № 1. C. 101-107.
  • Zimin S.P. Poristyj kremnij - material s novymi svojstvami [Porous silicon material with new properties]. Sorosovskij obrazovatel'nyj zhurnal [Soros Educational Journal], 2004, vol. 8, no. 1, pp. 101-107 [in Russian].
  • Кашкаров П.К. Необычные свойства пористого кремния // Соросовский образовательный журнал. 2001. Т. 7. № 1. C. 102-107.
  • Kashkarov P.K. Neobychnye svojstva poristogo kremnija [The unusual properties of the porous silicon]. Sorosovskij obrazovatel'nyj zhurnal [Soros Educational Journal], 2001, vol. 7, no. 1, pp. 102-107 [in Russian].
  • Panes P., Lipinski M., Czternastek H. Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells // Optoelectronics review. 2000. № 8(1). P. 57-59.
  • Panes P., Lipinski M., Czternastek H. Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells. Optoelectronics review, 2000, no. 8 (1), pp. 57-59 [in English].
  • Dubey R.S., Lipinski M., Czternastek H. Synthesis and characterization of nanocrystalline porous silicon layer for solar cells applications // Journal of Optoelectronic and Biomedical Materials. 2009. Vol. 1. № 1. P. 8-14.
  • Dubey R.S., Lipinski M., Czternastek H. Synthesis and characterization of nanocrystalline porous silicon layer for solar cells applications. Journal of Optoelectronic and Biomedical Materials, 2009, vol. 1, no. 1, pp. 8-14 [in English].
  • Трегулов В.В. Пористый кремний: технология, свойства, применение: моног. Рязань: Рязанский государственный университет имени C.А. Есенина, 2011. 124 с.
  • Tregulov V.V. Poristyj kremnij: tehnologija, svojstva, primenenie [Porous silicon: technology, properties and application]. Rjazan': Rjazanskij gosudarstvennyj universitet imeni C.A. Esenina, 2011, 124 p. [in Russian].
  • Карбид кремния: технология, свойства, применение / О.А. Агеев [и др.]; под общ. ред. А.Е. Беляева и Р.В. Конаковой. Харьков: ИСМА, 2010. 532 с.
  • Ageev O.A. [et al.] Karbid kremnija: tehnologija, svojstva, primenenie [Silicon carbide: Technology, Properties, Applications]. Har'kov: ISMA, 2010, 532 p. [in Russian].
  • Кремниевые фотопреобразователи для космической и авиационной отрасли / Г.П. Яровой [и др.] // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. 2012. Т. 14. № 1 (2). С. 521-524.
  • Jarovoj G.P. [et al.] Kremnievye fotopreobrazovateli dlja kosmicheskoj i aviatsionnoj otrasli [Silicon photovoltaics for space and aviation industry]. Izvestija Samarskogo nauchnogo tsentra Rossijskoj akademii nauk [Proceedings of the Samara Scientific Center of the Russian Academy of Sciences], 2012, vol. 14, no. 1 (2), pp. 521-524 [in Russian].
  • Бабков Р.Ю. Перспективы применения карбида кремния в микро-электронике // Известия Южного федерального университета. Серия "Технические науки". 1998. № 3(9). С. 89.
  • Babkov R.Ju. Perspektivy primenenija karbida kremnija v mikro-elektronike [Prospects for use of silicon carbide in the micro-electronics]. Izvestija Juzhnogo federal'nogo universiteta. Serija "Tehnicheskie nauki" [Southern Federal University. A series of "Engineering"], 1998, no. 3 (9), pp. 89 [in Russian].
  • Проблемы создания высокотемпературных полупроводниковых приборов на карбиде кремния / И.В. Силаев [и др.] // International Journal of Experimental Education. 2014. № 5. С. 62.
  • Silaev I.V. [et al.] Problemy sozdanija vysokotemperaturnyh poluprovod-nikovyh priborov na karbide kremnija [The problem of creating high-semi-nicks devices on silicon carbide]. International Journal of Experimental Education, 2014, no. 5, pp. None [in Russian].
  • Латухина Н.В., Чепурнов В.И., Писаренко Г.А. Новые перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния // Электроника: наука, технология, бизнес. 2013. № 4 (00126). С. 104-110.
  • Latuhina N.V., Chepurnov V.I., Pisarenko G.A. Novye perspektivy staryh materialov: kremnij i karbid kremnija [New perspectives of old materials: silicon and silicon carbide]. Elektronika: nauka, tehnologija, biznes [Electronics: Science, Technology, Business], 2013, no. 4 (00126), pp. 104-110 [in Russian].
  • Чепурнов В.И. Патент № 2370851. Способ самоорганизующейся эндотаксии моно 3C-SiC на Si подложке. Дата начала отчета срока действия патента: 2005.12.15, дата подачи заявки: 2005.12.15, опубликовано: 2009.10.20.
  • Chepurnov V.I. Patent № 2370851. Sposob samoorganizujuschejsja endotaksii mono 3C-SiC na Si podlozhke [Method endotaksii self-assembled mono 3C-SiC on Si substrate]. Data nachala otcheta sroka dejstvija patenta: 2005.12.15, data podachi zajavki: 2005.12.15, opublikovano: 2009.10.20 [in Russian].
  • Четырехзондовый метод измерения электрического сопротивления полупроводниковых материалов: уч.-метод. пособ. / Н.А. Поклонский [и др.]. Минск: Белгосуниверситет, 1998. 46 с.
  • Poklonskij N.A. [et al.] Chetyrehzondovyj metod izmerenija elektricheskogo soprotivlenija poluprovodnikovyh materialov: uch.-metod. posob [Four-probe method to measure electrical resistance of semiconductor materials]. Minsk: Belgosuniversitet, 1998, 46 p. [in Russian].
Еще
Статья научная
SciUp 2024 © 2024 ©