Определение характерных параметров СТМ-изображений наноструктур методом статистического анализа двумерных случайных полей
Автор: Горбенко О.М., Масалов С.А., Фридман П.А., Цырлин Г.Э., Голубок А.О.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Оригинальные статьи
Статья в выпуске: 1 т.10, 2000 года.
Бесплатный доступ
Предлагается алгоритм статистического анализа размеров элементов изображений, основанный на вычислении спектральной плотности изображения и являющийся реализацией цифрового подхода к решению обратной задачи. Возможности алгоритма продемонстрированы на примерах модельных изображений. Предложенный подход позволяет получить распределение элементов изображений по размерам. Приводятся результаты применения алгоритма при исследовании изображений полупроводниковых наноструктур, полученных в сканирующем туннельном микроскопе.
Короткий адрес: https://sciup.org/14264115
IDR: 14264115
Список литературы Определение характерных параметров СТМ-изображений наноструктур методом статистического анализа двумерных случайных полей
- Ахманов С.А., Дьяков Ю.Е., Чиркин А.С. Введение в статистическую радиофизику и оптику. М.: Наука, 1981. 640 с.
- О'Нейл Э. Введение в статистическую оптику. М.: Мир, 1966. 254 с.
- Байвель Л.П., Лагунов А.С. Измерение и контроль дисперсности частиц методом светорассеяния под малыми углами. М.: Энергия, 1977. 87 с.
- Шифрин К.С. Введение в оптику океана Л.: Гидрометеоиздат, 1983. 278 с.
- Прэтт У. цифровая обработка изображений. М.: Мир, 1982. В 2-х кн. Кн. 1. 310 с.
- Cirlin G.E., Dubrovskii V.G. et al.//Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13, № 11. p. 1262-1265.
- Алферов Ж.И.//Физика и техника полупроводников. 1998. т. 32, № 1. с. 3-18.
