Методика импульсных измерений удельного сопротивления полупроводниковых пластин

Автор: Наумов В.В., Гребенщиков О.А.

Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie

Рубрика: Оригинальные статьи

Статья в выпуске: 4 т.11, 2001 года.

Бесплатный доступ

Описана методика автоматизированных измерений удельного и поверхностного сопротивлений полупроводниковых пластин произвольной формы толщиной 0.2-400 мкм по методу Ван-дер-Пау в импульсном режиме с использованием экспериментальной установки. Установка включает в себя компьютер IBM PC, цифровые вольтметры В7-21А, программно управляемый генератор импульсов, устройство выборки-хранения, программно управляемый коммутатор и адаптер-мультиплексор. Она обеспечивает автоматическое переключение зондовых контактов, программируемое задание импульсов напряжения и тока длительностью 10-40 мкс, измерение поверхностного сопротивления в диапазоне 0.05-22·10^6 Ом, удельного сопротивления в диапазоне 2·10^−3 - 10^6 Ом·см при толщине пластины 400 мкм с выводом результатов на монитор и принтер. Погрешность измерения сопротивлений не более 0.8 %.

Еще

Короткий адрес: https://sciup.org/14264208

IDR: 14264208

Список литературы Методика импульсных измерений удельного сопротивления полупроводниковых пластин

  • Hellinger O., Nibler F.Z.//Angew. Phys. 1984. Bd18, N 1. P. 23-28.
  • Евтихиев Н.Н. и др. Измерение электрических и неэлектрических величин. М.: Энергоатомиздат, 1990. 349 с.
  • Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. шк., 1987. 239 с.
  • Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970. 432 с.
Статья научная