Исследование яркости SMD светодиодов при повышенных температурах в режиме стабилизации напряжения
Автор: Беринцев Алексей Валентинович, Новиков Сергей Геннадьевич, Федоров Иван Сергеевич
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Физика и электроника
Статья в выпуске: 4-4 т.14, 2012 года.
Бесплатный доступ
В работе исследуется поведение излучающих диодов при токах порядка нескольких микроампер в диапазоне температур от 27 до 250°С. Обнаружен линейный рост яркости с увеличением температуры для синих и зеленых светодиодов в исследуемом диапазоне. Показана возможность использования излучающего диода в качестве сенсора температуры с оптическим выходом.
Светодиод, температура, измерение, оптический датчик температуры
Короткий адрес: https://sciup.org/148201312
IDR: 148201312
Список литературы Исследование яркости SMD светодиодов при повышенных температурах в режиме стабилизации напряжения
- Соболев М.М., Никитин В.Г. Высокотемпературный диод на основе эпитаксиальных слоев GaP//Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. №9. С. 1-7.
- Сергеев В.А., Широков А.А. Определение локальных температур в структурах красных AlInGaP/GaAs светодиодов в импульсном режиме//Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 9. С. 1-10.
- Xi Y. and Schubert E.F. Junction-temperature measurement in GaN ultraviolet light-emitting diodes using diode forward voltage method//Appl. Phys. Lett. 85, 2163 (2004).
- Емельянов А. М., Соболев Н. А., Шек Е. И. Кремниевые светодиоды, излучающие в области зона-зонных переходов: влияние температуры и величины тока//Физика твердого тела. 2004. Т. 46. Вып. 1. С. 44-48.
- Сергеев В.А., Ходаков А.М. Расчет и анализ распределений плотности тока и температуры по площади структуры InGaN/GaN мощных светодиодов//Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 2. С. 230-234.
- Cao X.A., LeBoeuf S.F., Rowland L.B., Yan C.H., and Liu H. Temperature-dependent emission intensity and energy shift in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes//Appl. Phys. Lett. 82, 3614 (2003).
- Santhanam P. et all., Thermoelectrically Pumped Light-Emitting Diodes Operating Above Unity Efficiency//Phys. Rev. Lett. 108, 097403 (2012).
- Влияние температуры на ампер-яркостные характеристики светодиодной структуры на основе InGaN/Н. С. Грушко [и др. ]//Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 10. С. 1396-1402.
- Шуберт Ф. Светодиоды//Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. 496 с.
- Мамакин С. С., Юнович А. Э., Ваттана А. Б., Маняхин Ф. И. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами//ФТП. 2003. Т.37. Вып. 9. С. 1131-1137.
Статья научная
