Деформации как метод управления уровнями дефекта в теллуриде кадмия. 1. Дефект замещения с нулевым зарядом

Проведены расчеты энергетического уровня дефекта замещения для случая нейтрального зарядового состояния теллура в полупроводниковом кристалле теллурида кадмия. Определена его геометрия, а также исследовано влияние трех типов деформаций на положение энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника. Показано, что наиболее эффективной деформацией является одновременная деформация в двух направлениях, которая приводит к уширению запрещенной зоны и расхождению уровней дкфекта в направлениях валентной зоны и зоны проводимости.