Control of the shape of semiconductor crystals when growing in Czochralski method
Автор: Sahanskiy Sergey P.
Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии @technologies-sfu
Статья в выпуске: 1 т.7, 2014 года.
Бесплатный доступ
A model of the formation temperature and the rate of withdrawal of semiconductor crystals when grown by the method of “Czochralski”, which allows you to control the shape of the crystals, providing a fl at solidifi cation front and getting a quality fi nished product.
Model, growing, semiconductor chips
Короткий адрес: https://sciup.org/146114818
IDR: 146114818
Статья научная
