Физика, электроника, нанотехнологии. Рубрика в журнале - Труды Московского физико-технического института

Публикации в рубрике (15): Физика, электроника, нанотехнологии
все рубрики
Атомно-слоевое осаждение трехкомпонентных диэлектриков HFXAL1-XOY c высокой диэлектрической проницаемостью

Атомно-слоевое осаждение трехкомпонентных диэлектриков HFXAL1-XOY c высокой диэлектрической проницаемостью

Алехин А.П., Григал И.П., Гудкова С.А., Лебединский Ю.Ю., Маркеев А.М., Чуприк А.А.

Статья научная

Разработан процесс атомно-слоевого осаждения тонких (∼ 4 нм) пленок трехком- понентного диэлектрика HfxAl1−xOy с использованием жидкофазного металлоор- ганического гафниевого прекурсора - Hf[N(CH3)(C2H5)]4. Разработанный процесс АСО позволяет получать тонкие пленки HfxAl1−xOy в широком диапазоне концен- траций Al: 24--85 атомных процентов со структурой аморфного твердого раство- ра. Электрофизические исследования позволили выявить оптимальный состав - Hf0,76Al0,24Oy, при котором диэлектрик характеризуется достаточно высокой ди- электрической проницаемостью khigh−k = 10,5 и низкими плотностями токов утечек 1,8 · 10−5А/см2 при напряженности электрического поля Е = 5 МВ/см. Термический отжиг Hf0,76Al0,24Oy диэлектрика приводит к увеличению толщины переходного слоя SiOx на границе раздела с кремнием и, как следствие этого, к снижению приблизи- тельно на порядок величины токов утечек и снижению (на ∼ 30 %) эффективной диэлектрической проницаемости keff в структурах Hf0,76Al0,24Oy/Si.

Бесплатно

Блоховский и перколяционный типы магнитного упорядочения в гетероструктурах InGaAs = GaAs

Блоховский и перколяционный типы магнитного упорядочения в гетероструктурах InGaAs = GaAs

Дмитриев А.И., Таланцев А.Д., Зайцев С.В., Моргунов Р.Б.

Статья

Бесплатно

Излучение из торца планарного диэлектрического волновода

Излучение из торца планарного диэлектрического волновода

Иванов А.А.

Статья научная

Рассматривается задача об излучении из торца волновода. Задача решена в стро- гой электродинамической постановке. Рассчитаны в нескольких порядках числен- ных приближений диаграммы направленности, энергии излученного из торца поля и потери на отраженную направляемую волну. Приведено сравнение двух способов решения такой задачи.

Бесплатно

Изучение нанотрубок с кобальтом в качестве наполнителя методами просвечивающей электронной микроскопии

Изучение нанотрубок с кобальтом в качестве наполнителя методами просвечивающей электронной микроскопии

Буранова Ю.С.

Статья научная

Целью работы было изучение особенностей углеродных нанотрубок, выращенных в условиях газостата, с кобальтом в качестве наполнителя. Представляется инте- ресным изучение кристаллографических особенностей кобальтого наполнителя, вви- ду ряда отличительных свойств наночастицк обальта. Особенностью работы являет- ся использование для синтеза нанотрубок газостата, так как этот прибор практиче- ски не используется для этих целей. Электронно-микроскопический анализ показал наличие в полученных образцах нанотрубок, содержащих частицы кобальта. Кобальт чаще всего встречался в ГЦК и ГПУ модификациях. Встретились трубки, содержа- щие различные деформированные структуры, а также карбид кобальта. Установле- ны четыре разных ориентации ГЦК-частиц кобальта по отношению к оси трубки: [100], [110], [111] и [112]. Дополнительные направления обусловлены двойникованием в ГЦК-решетке. Для ГПУ-решетки установлены следующие ориентации: [001], [110] и [1--14]. Образование трёх фаз кобальта в нанотрубках связано с особенностями выделения углерода из расплава в условиях газостата.

Бесплатно

Квантовая проводимость двумерного баллистического контакта

Квантовая проводимость двумерного баллистического контакта

Криштоп Т.В., Нагаев К.Э.

Статья научная

Вычисляется проводимость двумерного баллистического контакта в квантовом пре- деле, когда размер контакта существенно меньше фермиевской длины волны элек- трона.

Бесплатно

Моды шепчущей галереи для измерений поверхностного импеданса сверхпроводящих кристаллов

Моды шепчущей галереи для измерений поверхностного импеданса сверхпроводящих кристаллов

Дм В.Е., Шевчун А.Ф., Трунин М.Р.

Статья научная

Обсуждается возможность и пример использования мод «шепчущей галереи» цилин- дрического сапфирового резонатора для измерения компонент поверхностного импе- данса сверхпроводящих монокристаллов, имеющих типичные размеры 1Ч1Ч0,1 мм3.

Бесплатно

Оптическая щель кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором

Оптическая щель кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором

Конаков А.А., Беляков В.а, Бурдов В.А.

Статья научная

Рассчитываются электронные и дырочные спектры, а также величина оптической щели кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором, сформированных в мат- рице аморфного диоксида кремния. Рассматривается случай сильного однородного легирования нанокристаллов. Показано, что взаимодействие с короткодействующей составляющей поля примеси приводит к расщеплению уровня основного состояния в зоне проводимости на синглет, триплет и дублет, подобно тому, как это происхо- дит в объемном кремнии. В валентной зоне взаимодействие с примесью приводит только к общему сдвигу уровней. При этом величина оптической щели уменьшается с ростом концентрации примеси.

Бесплатно

Самопроизвольное перетекание дистиллированной воды в раствор сквозь крупнопористую мембрану

Самопроизвольное перетекание дистиллированной воды в раствор сквозь крупнопористую мембрану

Фрейберг Г.Н.

Статья научная

Приведены экспериментальная установка и результаты экспериментальных исследо- ваний по самопроизвольному перетеканию дистиллированной воды в раствор сквозь крупнопористую гидрофобную мембрану. Проведенные расчёты на модели позволя- ют объяснить его природу и отнести этот процесс к осмотическому процессу.

Бесплатно

Сверхпроводниковый однофотонный детектор для среднего инфракрасного диапазона на основе узких параллельных полосок

Сверхпроводниковый однофотонный детектор для среднего инфракрасного диапазона на основе узких параллельных полосок

Флоря И.Н., Корнеева Ю.П., Корнеев А.А., Гольцман Г.Н.

Статья научная

Мы рассматриваем ультрабыстрый сверхпроводниковый однофотонный детектор (SSPD). SSPD представляет собой тонкопленочную наноструктуру - очень узкую и длинную полоску сверхпроводника, изогнутую в виде меандра, изготовленную из пленки NbN толщиной 4 нм, нанесенной на сапфировую подложку. SSPD хо- рошо сопрягается с оптоволокном и легко может быть интегрирован в полностью готовую для работы приемную систему. В стремлении продвинуться в средний ИК- диапозон нам удалось разработать SSPD в виде параллельно соединенных полосок с шириной полоски всего 50 нм и сохранить при этом сверхпроводящие свойства. Эти детекторы показывают более чем на порядок большую чувствительность на длине волны 3,5 мкм, чем SSPD в виде меандра. Полученные результаты открывают путь к эффективным детекторам среднего ИК-диапазона, обладающим скоростью счета свыше 1 ГГц.

Бесплатно

Спектральный фильтр для установок проекционной нано-литографии нового поколения

Спектральный фильтр для установок проекционной нано-литографии нового поколения

Медведев В.В., Кривцун В.М.

Статья научная

Исследована возможность применения свободновисящих металлических сеточных фильтров для подавления рассеянного инфракрасного излучения в источниках EUV- излучения на основе лазерной плазмы. Методами численного моделирования были исследованы оптические характеристики фильтров.

Бесплатно

Фиксация ДНК на поверхности кремния для создания матрицы при формировании нанопроволок

Фиксация ДНК на поверхности кремния для создания матрицы при формировании нанопроволок

Пучкова А.О., Соколов П.А., Лопатько К.Г., Касьяненко Н.А.

Статья научная

В работе предлагается простой и эффективный метод создания ДНК-шаблонных на- нопроволок на поверхности кремния. Метод основан на электрохимическом восста- новлении ионов Ag+, связанных с молекулами ДНК на подложке. Важным отличием его от существующих в настоящий момент способов является отсутствие химических восстановителей, а подложка кремния используется в качестве донора электронов, необходимых для образования кластеров серебра. В результате получаются протя- женные нанопроволоки, состоящие из кластеров серебра диаметром 30 нм.

Бесплатно

Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NBN наноструктур

Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NBN наноструктур

Масленникова А.В., Рябчун С.А., Финкель М.И., Каурова Н.С., Исупова А.А., Воронов Б.М., Гольцман Г.Н.

Статья

Бесплатно

Эволюция электростатической волны, распространяющейся перпендикулярно однородному магнитному полю в плазме

Эволюция электростатической волны, распространяющейся перпендикулярно однородному магнитному полю в плазме

Долгоносов М.С., Кузичев И.В., Зеленый Л.М.

Статья научная

В данной работе численно изучено затухание Ландау ленгмюровских колебаний плаз- мы, распространяющихся перпендикулярно постоянному магнитному полю. В каче- стве численной схемы была выбрана схема расщепления. Показано, что эволюция волны носит бифуркационный характер, то есть при изменении значения некоторо- го управляющего параметра затухание волны прекращается (либо волна начинает затухать). В частности, если в отсутствие магнитного поля в режиме Ландау волна затухала, то по мере увеличения магнитного поля затухание волны предотвращается доминирующим воздействием магнитного поля. В режиме ОНейла влияние магнит- ного поля приводит к совершенно иному эффекту. Слабое магнитное поле уменьша- ет амплитуду осцилляций огибающей электрической энергии. Затем, при переходе через пороговое значение амплитуды магнитного поля, первоначально не затухаю- щая волна затухает на временах порядка гиропериода. Дальнейший рост амплитуды магнитного поля опять останавливает затухание волны и приводит к генерации берн- штейновских мод.

Бесплатно

Электрическая проводимость системы (Au; In) = Si (111)

Электрическая проводимость системы (Au; In) = Si (111)

Бондаренко Л.В., Цуканов Д.А., Борисенко Е.А., Грузнев Д.В., Матецкий А.В., Зотов А.В., Саранин ..

Статья

Бесплатно

Журнал