Полупроводниковая электроника и нанотехнологии. Рубрика в журнале - Труды Московского физико-технического института
Статья научная
Исследована морфология тонких пленок однослойных углеродных нанотрубок, полученных методом воздушно-капельного распыления из водных растворов. Нанесенные пленки излучены с помощью оптической и электронной микроскопии, измерены спектры их оптического пропускания и проводимость.
Бесплатно
Статья научная
Продемонстрирована возможность использования реконструированной поверхности 7х7-Si(111) и монотоатомных ступеней на этой поверхности в качестве эталонных объектов для калибровки сверхвысоковакуумного сканирующего туннельного микроскопа.
Бесплатно
Перфорированный графен как носитель информации: перфо-карта атомного масштаба
Статья научная
Перфорированные двумерные кристаллы рассматриваются как носители информации. Для графена вычислена максимальная теоретическая плотность записи: 7х1014 байт/см2, или 2х1021 байт/см3, или 1021 байт/г. Наноперфокарты могут сворачиваться или штабелироваться в пористый кристалл без потери информации. Информация также может храниться в перфорированных графеновых нанолентах - аналогах перфолент атомного масштаба. Для перфорации годятся любые двумерные кристаллы; графен - лишь один из них.
Бесплатно
Статья научная
Рассмотрены каскады электронных столкновений, созданные высокоэнергетическими электронами в результате облучения ими твердых тел. Решение задачи основывается на исследовании кинетического уравнения для движущихся электронов. Для этого уравнения построена модельная индикатриса рассеяния при произвольном потенциале взаимодействия частиц. С помощью построенной модельной индикатрисы рассеяния получено энергетическое распределение движущихся частиц. На основе вычисленного энергетического распределения движущихся частиц для произвольных потенциалов межчастичного взаимодействия находится каскадная функция возбужденных частиц.
Бесплатно
Статья научная
Трехкомпонентные пленки Ti0.3Al0.7Oу толщиной 3-40 нм были выращены на Si-подложках методом атомно-слоевого осаждения. Исходные пленки обладают аморфной структурой вне зависимости от толщины. Быстрый термический отжиг (БТО) при температуре 700 оС приводит к формированию кристаллической фазы TiAl2O5 в пленках Ti0.3Al0.7Oу толщиной 40 нм, более тонкие пленки остаются аморфными. Диэлектрическая проницаемость отожженных Ti0.3Al0.7Oу -пленок варьируется в диа- пазоне k = 14-19 при изменении толщины от 3 до 40 нм. Значение эквивалентной толщины CET (capacitance equivalent thickness ) пленки толщиной 3 нм равно 1.4 нм. На границе раздела Ti0.3Al0.7Oу -Si в течение АСО-процесса образуется переходный слой SiOх толщиной 0,6-0,7 нм, увеличивающийся в результате БТО до 2-3 нм, что приводит к уменьшению токов утечек на три порядка величины. Оптимальная тем- пература БТО с точки зрения наибольшей величины k и наименьших токов утечки составляет 700 оС.
Бесплатно
Электропроводность нанофрагментированного и модифицированного фуллереном алюминия
Статья научная
В данной работе исследована электропроводность нанофрагментированного алюминия, модифицированного фуллереном C60, показана возможность оптимизации его электрических и механических свойств. Предложена модель, позволяющая оценить электропроводность такого материала. Получены и исследованы образцы с различными массовыми долями C60 и размерами алюминиевых кристаллитов, определены средний размер кристаллитов, электропроводность и твердость этих образцов. Проведено сравнение теоретической модели с экспериментальными данными. Модель хорошо согласуется с экспериментом. Исследования структуры материала методом спектроскопии комбинационного рассеяния показывают наличие ковалентных связей между алюминием в кластерах и молекулами C60 и согласуются с предложенной оболочечной моделью структуры.
Бесплатно
