Создание пьезоэлектрических источников ультразвукового воздействия

Автор: Хмелев В.Н., Левин С.В., Хмелв С.С., Цыганок С.Н.

Журнал: Техническая акустика @ejta

Статья в выпуске: т.13, 2013 года.

Бесплатный доступ

В статье предлагаются правила и последовательность проектирования отдельных составляющих (пьезопреобразователей, бустеров, концентраторов и рабочих инструментов) при создании пьезоэлектрических колебательных систем – источников ультразвукового воздействия на различные технологические процессы. Предложенные правила обеспечивают создание ультразвуковых колебательных систем с необходимыми параметрами ультразвукового воздействия: по мощности, интенсивности излучения, частоте, излучающей поверхности, направлению излучения и т. п.

Ультразвук, ультразвуковое технологическое оборудование, ультразвуковая колебательная система, концентратор

Короткий адрес: https://sciup.org/14316167

IDR: 14316167

Список литературы Создание пьезоэлектрических источников ультразвукового воздействия

  • В. Н. Хмелёв, А. Н. Сливин, Р. В. Барсуков, С. Н. Цыганок, А. В. Шалунов. Применение ультразвука высокой интенсивности в промышленности/Алт. гос. техн. ун-т, БТИ. -Бийск: изд-во Алт. гос. техн. ун-та, 2010. -196 с.
  • В. Н. Хмелёв, Г. В. Леонов, Р. В. Барсуков, С. Н. Цыганок, А. В. Шалунов. Ультразвуковые многофункциональные и специализированные аппараты для интенсификации технологических процессов в промышленности, сельском и домашнем хозяйстве/Алт. гос. техн. ун-т, БТИ. -Бийск: изд-во Алт. гос. техн. ун-та, 2007. -400 с.
  • Патент 2141386 Российская Федерация, мпк b06b 3/00. Ультразвуковая колебательная система [текст]/Р.В. Барсуков, В.Н. Хмелёв, С.Н. Цыганок; заявитель и патентообладатель Бийский технологический институт Алтайского государственного технического университета им. И. И. Ползунова. -№ 97120873/28, заявл. 15.12.97; опубл. 20.11.99.
  • V. N. Khmelev, V. V. Pedder, S. N. Tsyganok, R. V. Barsukov. The Features Investigation of Piezoelectric Transducers. International Conference And Seminar On Micro/Nanotechnologies And Electron Devices. EDM'2009: Conference Proceedings. -Novosibirsk: NSTU, 2009. -p. 233-241.
Статья научная