NEXAFS и XPS исследования пористого кремния
Автор: Некипелов С.В., Ломов А.А., Мингалева А.Е., Петрова О.В., Сивков Д.В., Шомысов Н.Н., Шустова Е.Н., Сивков В.Н.
Журнал: Известия Коми научного центра УрО РАН @izvestia-komisc
Рубрика: Физико-математические науки
Статья в выпуске: 3 (35), 2018 года.
Бесплатный доступ
Методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с применением синхротронного излучения исследованы пористые слои кремния с различными типами проводимости. Определена эффективная толщина оксида на поверхности кремниевого скелетона и изучена структура интерфейса на границе кремний/оксид кремния. Показано, что тонкая структура спектров поглощения Si 2p кремниевого скелета совпадает с тонкой структурой спектра кристаллического кремния, а толщина оксидного слоя на поверхности пористого кремния 1,8-2,4 нм для различных образцов. Параметр x в стехиометрической формуле SiOх оксида кремния находится в диапазоне 1,66-1,82.
Пористый кремний, оксидный слой, nexafs-спектроскопия, xps-спектроскопия
Короткий адрес: https://sciup.org/149128785
IDR: 149128785 | DOI: 10.19110/1994-5655-2018-3-19-22
Список литературы NEXAFS и XPS исследования пористого кремния
- Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol.57. №10. P. 1046-1048
- Stohr J. NEXAFS spectroscopy. Berlin. Springer, 1992. 403 p
- X-Ray and Synchrotron Studies of Porous Silicon / V.N.Sivkov, A.A.Lomov, A.L.Vasil'ev, S.V.Nekipelov and O.V.Petrova // Semiconductors. 2013. Vol. 47, № 8. P. 1051-1057
- NIST Electron Inelastic-Mean-Free-Path Data- base (http://www.nist.gov/srd/nist71.cfm 3)
- Full field chemical imaging of buried native sub-oxide layers on doped silicon patterns / F. de la Peсa, N. Barrett, L.F. Zagonel, M. Walls,O. Renault //Surface Science. 2010. Vol. 604. P.1628-1636
