Автоматическая измерительная система для исследования полупроводниковых приборных структур
Автор: Горелов Ю.Н., Голубева Д.Ю., Курганская Л.В., Щербак А.В.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 4 т.21, 2018 года.
Бесплатный доступ
Рассмотрены вопросы разработки автоматической измерительной системы для исследования параметров полупроводниковых приборных структур, которая может использоваться как при экспериментальной отработке технологии получения структур, так и для проведения исследований стойкости структур к воздействию различных внешних факторов, включая факторы открытого космического пространства. Предложена структурная схема измерительной системы, позволяющей изменять свою конфигурацию программным способом для увеличения числа измеряемых параметров. Предложен вариант коммутации измерительных портов и узлов измерительной системы, при котором все порты идентичны, что дает возможность подключать к системе образцы с различной топологией и числом контактов, необходимо только чтобы суммарное число контактов всех образцов не превышало числа измерительных портов системы. Предложены возможные варианты схем измерительных узлов, реализующих преобразования напряжение-код, емкости-код, код-ток и т. д.
Приборные структуры, электрофизические параметры, автоматические измерительные системы
Короткий адрес: https://sciup.org/140256075
IDR: 140256075
Список литературы Автоматическая измерительная система для исследования полупроводниковых приборных структур
- Лучинин В., Таиров Ю. Отечественный полупроводниковый карбид кремния: шаг к паритету // Современная электроника. 2009. № 7. С. 12-15.
- Лучинин В., Таиров Ю. Карбид кремния алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами // Наноиндустрия. 2010. № 1. С. 36-40.
- Полищук А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния настоящее и будущее силовой электроники // Компоненты и технологии. 2004. № 8. С. 40-45.
- Мокеров В.Г. Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. М.: Техносфера, 2010. 435 с.
- Чувствительные элементы высокотемпературных датчиков давления. Материалы и технологии изготовления / П.Г. Михайлов [и др.] // Известия Южного федерального университета. Серия «Технические науки». 2014. № 4(153). С. 204-213.
- Вопросы создания высокотемпературных датчиков механических величин. Материалы, конструкции, технологии / П.Г. Михайлов [и др.] // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2013. № 4. С. 61-70.
- Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. 264 с.
- Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников; пер. с англ. // Зарубежная радиоэлектроника. 1981. № 1. С. 3-50; № 2. С. 3-49.
- Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
- Метрология и электрорадиоизмерения в телекоммуникационных системах: учеб. для вузов / под ред. В.И. Нефедова. М.: Высшая школа, 2005. 535 с.
- Фреик Д.М., Ткачук Р.З. Способ емкостных исследований полупроводников с высокой диэлектрической проницаемостью // Приборы и техника эксперимента. 1986. № 3. С. 207-208.
- Базлов Н.В., Вывенко О.Ф., Тульев А.В. Универсальный емкостный спектрометр глубоких центров в полупроводниках и М.О.П. структурах // Приборы и техника эксперимента. 1987. № 3.
- Фолкенберри Л. Применение операционных усилителей и линейных ИС; пер. с англ. М.: Мир, 1985. 572 с.
- Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники; пер. с англ. М.: Мир, 1998. 704 с.
