Модель проводимости тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния

Автор: Кандоси Малика, Мотет С., Кандоси С.

Журнал: Техническая акустика @ejta

Статья в выпуске: т.5, 2005 года.

Бесплатный доступ

Целью статьи является анализ, прогноз и оптимизация тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния. Представлена модель, учитывающая зернистость, поверхность зерен и их границы. Детально рассмотрен механизм проводимости и обмен между электронами и дырками. Полевые эффекты учитываются через влияние скорости носителей заряда, ударную ионизацию и межзонный тоннельный эффект. Результаты моделирования и экспериментальные данные хорошо согласуются. Моделирование позволяет глубже понимать основные механизмы управления работой тонкопленочного транзистора.

Короткий адрес: https://sciup.org/14316237

IDR: 14316237

Статья научная